يمكن تقسيم طريقة تكنولوجيا تحضير المواد الخام لهدف التيتانيوم المغنطرون إلى فئتين وفقًا لعملية الإنتاج: قالب ذوبان شعاع الإلكترون (يشار إليه باسم قالب EB) وقضيب ذوبان فرن القوس الكهربائي القابل للاستهلاك الفراغي (يشار إليه باسم (VAR) ).
أثناء عملية إعداد الهدف، بالإضافة إلى التحكم الصارم في نقاء المادة وكثافتها وحجم الحبوب واتجاهها البلوري، يجب أيضًا التحكم بشكل صارم في ظروف عملية المعالجة الحرارية وعمليات التشكيل اللاحقة لضمان جودة الهدف.
بالنسبة للمواد الخام من التيتانيوم عالي النقاء، عادةً ما يتم استخدام التحليل الكهربائي بالذوبان لإزالة عناصر الشوائب ذات نقطة الانصهار العالية في مصفوفة التيتانيوم، ومن ثم يتم استخدام ذوبان شعاع الإلكترون الفراغي لمزيد من التنقية.
يستخدم ذوبان شعاع الإلكترون الفراغي شعاعًا إلكترونيًا عالي الطاقة لقصف سطح المعدن، ثم تزيد درجة الحرارة تدريجيًا حتى يذوب المعدن. سوف تتطاير العناصر ذات ضغط البخار المرتفع بشكل تفضيلي، بينما تظل العناصر ذات ضغط البخار المنخفض في المنصهر. التفاعل بين عناصر الشوائب والمصفوفة كلما زاد الفرق في ضغط البخار، كان تأثير التنقية أفضل.
تتمثل ميزة التنقية بالفراغ بعد الصهر في إزالة عناصر الشوائب في مصفوفة التيتانيوم دون إدخال شوائب أخرى. ولذلك، عندما يتم إذابة 99.99% من التيتانيوم كهربائيًا بواسطة شعاع الإلكترون في بيئة فراغية عالية (أعلى من 10-4)، فإن عناصر الشوائب (Fe، Co، Cu) في المادة الخام التي يكون ضغط بخارها المشبع أعلى من البخار المشبع سوف يتطاير ضغط عنصر التيتانيوم نفسه بشكل تفضيلي، مما يقلل من محتوى الشوائب في المصفوفة لتحقيق غرض التنقية.
يمكن من خلال الجمع بين الطريقتين الحصول على معدن التيتانيوم عالي النقاء بدرجة نقاء تزيد عن 99.995. بالنسبة للمواد الخام للتيتانيوم بنقاء 99.9%، غالبًا ما يتم استخدام التيتانيوم الإسفنجي من الدرجة 0، والذي يتم صهره في فرن القوس الكهربائي القابل للاستهلاك الفراغي ثم يتم تشكيله على الساخن لتشكيل قالب صغير الحجم. تتحكم المواد الخام المعدنية المصنوعة من التيتانيوم التي يتم تحضيرها بواسطة هاتين الطريقتين في البنية المجهرية لسطح الرش بأكمله لتكون متسقة من خلال التشوه الميكانيكي الحراري، ثم تتم معالجتها إلى أهداف تيتانيوم رش المغنطرون لإعداد الدوائر المتكاملة من خلال عمليات مثل التشغيل الآلي والتجليد والتنظيف والتعبئة والتغليف.
